技术挑战
3nm制程下，光刻机需晶圆放置精度≤±5μm，传统机械臂传输因微振动导致误差达±30μm，影响线宽控制。
EFEM创新方案
压电气浮复合平台
压电陶瓷预校准消除初始误差，气浮导轨实现传输零摩擦，将放置精度提升至±1.5μm1；
自适应算法抑制机械臂高频振动，华为晶圆厂应用后良率提升0.8%。
环境主动控制
外部洁净空间动态调节温湿度，防止气体在晶圆表面结露（专利CN111090295A）；
微环境ISO Class 1洁净度，落尘量＜0.1颗粒/立方米。
案例：上海微电子光刻机EFEM
集成800×600mm压电气浮平台，配合掩模台扫描速度500mm/s，定位抖动＜0.7nm，支撑28nm国产光刻工艺
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